Name: IXFC110N10P
Brand: IXYS
SKU: IXFC110N10P
Availability: InStock
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IXFC110N10P

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Numero di parte	IXFC110N10P
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Scheda dati	IXFC110N10P Scheda dati
pacchetto	ISOPLUS220?
ECAD
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Specifiche IXFC110N10P

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	ISOPLUS220?
ECAD
Serie	HiPerFET?, PolarHT?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3550pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUS220?
Pacchetto / caso	ISOPLUS220?

Scheda tecnica IXFC110N10P

IXFC110N10P Packaging

IXFC110N10P FAQ

1. How to order IXFC110N10P on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that IXFC110N10P is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IXFC110N10P price and inventory displayed accurate?

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