Name: IXFD80N10Q-8XQ
Brand: IXYS
SKU: IXFD80N10Q-8XQ
Availability: InStock
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IXFD80N10Q-8XQ

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Numero di parte	IXFD80N10Q-8XQ
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH
Scheda dati
pacchetto	Die
ECAD
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Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche IXFD80N10Q-8XQ

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	Die
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Pacchetto / caso	Die

IXFD80N10Q-8XQ Packaging

IXFD80N10Q-8XQ FAQ

1. How to order IXFD80N10Q-8XQ on Heisener?

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3. Are the IXFD80N10Q-8XQ price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IXFD80N10Q-8XQ

D# IXFD80N10Q-8XQ-ND

IXYS Corporation

MOSFET N-CHANNEL 100V DIE

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IXFD80N10Q-8XQ

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