Name: IXFH18N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFH18N100Q3
Availability: InStock
Rating: 5 (90 reviews)

IXFH18N100Q3

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Numero di parte	IXFH18N100Q3
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Scheda dati	IXFH18N100Q3 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche IXFH18N100Q3

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4890pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3 Packaging

IXFH18N100Q3 FAQ

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3. Are the IXFH18N100Q3 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET, N CHANNEL, 1KV, 18A, TO-247

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MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

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304

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D# 76Y3353

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MOSFET, N-CH, 1KV, 18A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:1kV, Continuous Drain Current Id:18A, On Resistance Rds(on):0.66ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

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OEM/CM ONLY

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IXFH18N100Q3

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OEM/CM ONLY

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MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

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IXFH18N100Q3

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IXFH18N100Q3

D# 2470016

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MOSFET, N CHANNEL, 1KV, 18A, TO-247

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