Name: IXFX180N10
Brand: IXYS
SKU: IXFX180N10
Availability: InStock
Rating: 5 (81 reviews)

IXFX180N10

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Numero di parte	IXFX180N10
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Scheda dati	IXFX180N10 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche IXFX180N10

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	390nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10900pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS247?-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica IXFX180N10

IXFX180N10 Packaging

IXFX180N10 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IXFX180N10 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IXFX180N10 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

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IXFX180N10

D# V36:1790_16249429

Littelfuse Inc

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247

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IXFX180N10

IXYS Corporation

IXFX Series Single N-Channel 100 V 8 mOhm 560 W Power Mosfet - PLUS 247

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IXYS SEMICONDUCTOR CORP

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6478

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IXFX180N10

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1940

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IXFX180N10

D# 38630000

Littelfuse Inc

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247

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Azione

IXFX180N10

IXYS Corporation

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