Name: IXFX26N90
Brand: IXYS
SKU: IXFX26N90
Availability: InStock
Rating: 5 (93 reviews)

IXFX26N90

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Numero di parte	IXFX26N90
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
Scheda dati	IXFX26N90 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	3.008 piece(s)
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Specifiche IXFX26N90

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10800pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS247?-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica IXFX26N90

IXFX26N90 Packaging

IXFX26N90 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IXFX26N90 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IXFX26N90 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IXFX26N90 pin diagram, IXFX26N90 datasheet?

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Single N-Channel 900 V 560 W 240 nC Power Mosfet Through Hole - PLUS-247

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VBsemi Electronics Co Ltd

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