Name: IXTH12N90
Brand: IXYS
SKU: IXTH12N90
Availability: InStock
Rating: 5 (172 reviews)

IXTH12N90

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Numero di parte	IXTH12N90
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	5.648 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche IXTH12N90

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	MegaMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

IXTH12N90 Packaging

IXTH12N90 FAQ

1. How to order IXTH12N90 on Heisener?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXTH12N90 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXTH12N90 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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900V,12A Standard N-channel Power MOSFET, TO-247

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MOSFET N-CH 900V 12A TO247

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