| Numero di parte | IXTH200N085T |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.072 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchMV? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 480W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH200N085T |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH200N085T D# IXTH200N085T-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 85V 200A TO247 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH200N085T D# NS-IXTH200N085T |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
4298 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH200N085T |
IXYS Corporation |
RFQ |
3965 |
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