| Numero di parte | IXTH32N65X |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.320 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2205pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 16A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH32N65X D# IXTH32N65X-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 650V 32A TO247 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH32N65X |
IXYS Corporation |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH32N65X D# 03AH1504 |
Littelfuse Inc |
DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS TO-247AD / TUBE RoHS: Not Compliant
Min Qty: 30
Container: Bulk
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTH32N65X |
IXYS Corporation |
MOSFET 650v/32A Power MOSFET pbFree: Pb-Free
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86-755-83210559-841
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