Name: IXTQ160N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ160N10T
Availability: InStock
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IXTQ160N10T

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Numero di parte	IXTQ160N10T
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
Scheda dati	IXTQ160N10T Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche IXTQ160N10T

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie	TrenchMV?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	132nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica IXTQ160N10T

IXTQ160N10T Packaging

IXTQ160N10T FAQ

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3. Are the IXTQ160N10T price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXTQ160N10T we delivered, we will accept the replacement or return of the IXTQ160N10T only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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