Name: IXTQ182N055T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ182N055T
Availability: InStock
Rating: 5 (182 reviews)

IXTQ182N055T

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Numero di parte	IXTQ182N055T
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
Scheda dati	IXTQ182N055T Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche IXTQ182N055T

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie	TrenchMV?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	182A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4850pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica IXTQ182N055T

IXTQ182N055T Packaging

IXTQ182N055T FAQ

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3. Are the IXTQ182N055T price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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