| Numero di parte | IXTQ60N30T |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.408 piece(s) |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ60N30T |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ60N30T D# IXTQ60N30T-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 300V 60A TO3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ60N30T D# NS-IXTQ60N30T |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
7448 |
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