Name: JAN2N6849
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN2N6849
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

JAN2N6849

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Numero di parte	JAN2N6849
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
Scheda dati
pacchetto	TO-205AF Metal Can
ECAD
A magazzino	2.336 piece(s)
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Specifiche JAN2N6849

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-205AF Metal Can
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/564
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 6.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-39
Pacchetto / caso	TO-205AF Metal Can

JAN2N6849 Packaging

JAN2N6849 FAQ

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Microsemi Corporation

MOSFET P-CH 18-LCC

JAN2N6849U

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MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

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MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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