Name: MRFE6VP6600GNR3
Brand: NXP
SKU: MRFE6VP6600GNR3
Availability: InStock
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MRFE6VP6600GNR3

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Numero di parte	MRFE6VP6600GNR3
Produttore	NXP
Descrizione	TRANS RF LDMOS 600W 50V
Scheda dati	MRFE6VP6600GNR3 Scheda dati
pacchetto	OM-780G-4L
ECAD
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Specifiche MRFE6VP6600GNR3

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	OM-780G-4L
ECAD
Serie	-
Transistor Type	LDMOS (Dual)
Frequenza	230MHz
Guadagno	24.7dB
Voltaggio - Test	50V
Valutazione attuale	-
Figura di rumore	-
Corrente - Test	100mA
Potenza - Uscita	600W
Tensione - Rated	133V
Pacchetto / caso	OM-780G-4L
Pacchetto dispositivo fornitore	OM-780G-4L

Scheda tecnica MRFE6VP6600GNR3

MRFE6VP6600GNR3 Packaging

MRFE6VP6600GNR3 FAQ

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3. Are the MRFE6VP6600GNR3 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6600GNR3

D# V36:1790_07204241

NXP Semiconductors

Trans RF FET N-CH 133V 4-Pin T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6600GNR3

D# MRFE6VP6600GNR3

NXP Semiconductors

Transistor RF FET N-CH 133V 1.8MHz to 600MHz 4-Pin OM-780G T/R - Tape and Reel (Alt: MRFE6VP6600GNR3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6600GNR3

D# MRFE6VP6600GNR3-ND

NXP Semiconductors

TRANS RF LDMOS 600W 50V

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6600GNR3

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

8100

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6600GNR3

D# MRFE6VP6600GNR3

NXP Semiconductors

RF POWER TRANSISTOR

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

MRFE6VP6600GNR3

D# 30725120

NXP Semiconductors

Trans RF FET N-CH 133V 4-Pin T/R

RoHS: Compliant

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