| Numero di parte | NDD03N40ZT4G |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.536 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 600mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT8209AI-32-25E-133.333000T | SiTIME, -40 TO 85C, 5032, 25PPM, 2.5V, 1, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NDD03N40ZT4G D# NDD03N40ZT4G |
ON Semiconductor |
- Bulk (Alt: NDD03N40ZT4G) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NDD03N40ZT4G D# 2156-NDD03N40ZT4G-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK |
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NDD03N40ZT4G |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NDD03N40ZT4G |
ON Semiconductor |
Power MOSFET 400V 2.1A, Single N-Channel RoHS: Compliant
|
5000 |
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86-755-83210559-817
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