Name: NE3514S02-T1C-A
Brand: CEL
SKU: NE3514S02-T1C-A
Availability: InStock
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NE3514S02-T1C-A

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Numero di parte	NE3514S02-T1C-A
Produttore	CEL
Descrizione	HJ-FET NCH 10DB S02
Scheda dati	NE3514S02-T1C-A Scheda dati
pacchetto	4-SMD, Flat Leads
ECAD
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Specifiche NE3514S02-T1C-A

Produttore	CEL
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	4-SMD, Flat Leads
ECAD
Serie	-
Transistor Type	HFET
Frequenza	20GHz
Guadagno	10dB
Voltaggio - Test	2V
Valutazione attuale	70mA
Figura di rumore	0.75dB
Corrente - Test	10mA
Potenza - Uscita	-
Tensione - Rated	4V
Pacchetto / caso	4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	S02

Scheda tecnica NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A Packaging

NE3514S02-T1C-A FAQ

1. How to order NE3514S02-T1C-A on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that NE3514S02-T1C-A is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the NE3514S02-T1C-A price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NE3514S02-T1C-A.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as NE3514S02-T1C-A pin diagram, NE3514S02-T1C-A datasheet?

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NE3514S02-T1C-A garanzie

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A

D# V72:2272_06649813

California Eastern Laboratories (CEL)

Trans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A

D# NE3514S02-T1C-A

Renesas Electronics Corporation

Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X (Alt: NE3514S02-T1C-A)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A

Renesas Electronics Corporation

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A(K)

NEC Electronics Group

RoHS (ship within 1day) - D/C 2010

1222

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A

D# NE3514S02-T1C-A-ND

California Eastern Laboratories (CEL)

HJ-FET NCH 10DB S02

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A

Renesas Electronics Corporation

In stock shipping within 2days

1957

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02T1CA

Renesas Electronics Corporation

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11600

NE3514S02T1CAK

NEC Electronics Group

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1418

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A

D# NS-NE3514S02-T1C-A

California Eastern Laboratories (CEL)

OEM/CM ONLY

3609

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02-T1C-A(K)

NEC Electronics Group

RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1-ELEMENT, K BAND, SILICON, N-CHANNEL, HETERO-JUNCTION FET

977

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NE3514S02T1CA

NEC Electronics Group

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2016

NE3514S02T1CAK

NEC Electronics Group

OEM/CM ONLY

1238

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NE3514S02-T1C-A

Qualità certificata

L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.

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