Name: NE4210S01-T1B
Brand: CEL
SKU: NE4210S01-T1B
Availability: InStock
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NE4210S01-T1B

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Numero di parte	NE4210S01-T1B
Produttore	CEL
Descrizione	HJ-FET 13DB S01
Scheda dati	NE4210S01-T1B Scheda dati
pacchetto	4-SMD
ECAD
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Specifiche NE4210S01-T1B

Produttore	CEL
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	4-SMD
ECAD
Serie	-
Transistor Type	HFET
Frequenza	12GHz
Guadagno	13dB
Voltaggio - Test	2V
Valutazione attuale	15mA
Figura di rumore	0.5dB
Corrente - Test	10mA
Potenza - Uscita	-
Tensione - Rated	4V
Pacchetto / caso	4-SMD
Pacchetto dispositivo fornitore	SMD

Scheda tecnica NE4210S01-T1B

NE4210S01-T1B Packaging

NE4210S01-T1B FAQ

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2. How does Heisener guarantee that NE4210S01-T1B is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NE4210S01-T1B. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NE4210S01-T1B on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NE4210S01-T1B products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the NE4210S01-T1B price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NE4210S01-T1B.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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NE4210S01-T1B

Renesas Electronics Corporation

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET

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D# 2156-NE4210S01-T1B-RETR-ND

Rochester Electronics LLC

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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Renesas Electronics Corporation

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VARIOUS

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2334

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D# NE4210S01-T1B-A

Renesas Electronics Corporation

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET

RoHS: Compliant

Numero di parte

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NE4210S01-T1B

Renesas Electronics Corporation

RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, N-Channel, Hetero-junction FET

RoHS: Compliant

194

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