| Numero di parte | NTD4959NH-1G |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.792 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 11.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 11.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2155pF @ 12V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
 
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4959NH-1G |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4959NH-1G D# NTD4959NH-1G-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4959NH-1G D# NS-NTD4959NH-1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
2596 |
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