Name: NTGD4169FT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTGD4169FT1G
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

NTGD4169FT1G

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Numero di parte	NTGD4169FT1G
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6
ECAD
A magazzino	360.012 piece(s)
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Specifiche NTGD4169FT1G

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6

NTGD4169FT1G Packaging

NTGD4169FT1G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NTGD4169FT1G we delivered, we will accept the replacement or return of the NTGD4169FT1G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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- Bulk (Alt: NTGD4169FT1G)

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Power MOSFET and Schottky Diode

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP

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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A, 30V, N-Channel MOSFET

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