| Numero di parte | NTMS4101PR2 |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.672 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.38W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTMS4101PR2 |
ON Semiconductor |
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTMS4101PR2 D# NTMS4101PR2OS-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTMS4101PR2G |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
17845 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTMS4101PR2 D# NS-NTMS4101PR2 |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
8511 |
NTMS4101PR2G D# NS-NTMS4101PR2G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
1255 |
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86-755-83210559-841
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