Name: PDTA113EMB,315
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PDTA113EMB-315
Availability: InStock
Rating: 5 (143 reviews)

PDTA113EMB,315

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	PDTA113EMB,315
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Scheda dati
pacchetto	3-XFDFN
ECAD
A magazzino	4.832 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche PDTA113EMB,315

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto	3-XFDFN
ECAD
Serie	-
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	1k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 40mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 1.5mA, 30mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	180MHz
Potenza - Max	250mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	3-DFN1006B (0.6x1)

PDTA113EMB,315 Packaging

PDTA113EMB,315 FAQ

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PDTA113EMB,315

D# PDTA113EMB,315

NXP Semiconductors

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin DFN T/R - Bulk (Alt: PDTA113EMB,315)

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NOW NEXPERIA PDTA113EMB - SMALL

140000

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PDTA113EMB315

NXP Semiconductors

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20022

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PDTA113EMB,315

D# 771-PDTA113EMB,315

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Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Resistor Equipped Transistor

RoHS: Compliant

10000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PDTA113EMB,315

NXP Semiconductors

Now Nexperia PDTA113EMB - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A, 50V, PNP, XQFN3

RoHS: Compliant

140000

Numero di parte

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