| Numero di parte | PH6030L,115 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SC-100, SOT-669 |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.432 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SC-100, SOT-669 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
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SIT8209AI-GF-18E-166.600000X | SiTIME, -40 TO 85C, 2520, 10PPM, 1.8V, 1, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH6030L,115 D# PH6030L,115-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH6030L115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
77 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PH6030L-115 D# NS-PH6030L-115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1977 |
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86-755-83210559-841
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