Name: PHB110NQ08LT,118
Brand: NXP
SKU: PHB110NQ08LT-118
Availability: InStock
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PHB110NQ08LT,118

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Numero di parte	PHB110NQ08LT,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Scheda dati	PHB110NQ08LT,118 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PHB110NQ08LT,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	127.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6631pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PHB110NQ08LT,118

PHB110NQ08LT,118 Packaging

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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D# PHB110NQ08LT,118-ND

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MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

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