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PHB11N06LT,118

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PHB11N06LT,118

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Numero di parte PHB11N06LT,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Scheda dati

PHB11N06LT,118 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PHB11N06LT,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 25V
Vgs (massimo)±15V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PHB11N06LT,118

PHB11N06LT,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHB11N06LT,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PHB11N06LT,118 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PHB11N06LT,118?
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