Name: PHD14NQ20T,118
Brand: NXP
SKU: PHD14NQ20T-118
Availability: InStock
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PHD14NQ20T,118

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Numero di parte	PHD14NQ20T,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
Scheda dati	PHD14NQ20T,118 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD14NQ20T,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD14NQ20T,118

PHD14NQ20T,118 Packaging

PHD14NQ20T,118 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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PHD14NQ20T,118

D# PHD14NQ20T,118-ND

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MOSFET N-CH 200V 14A DPAK

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PHD14NQ20T118

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PHD14NQ20T-118

D# NS-PHD14NQ20T-118

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