| Numero di parte | PHD16N03T,118 |
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| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.672 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 32.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 13A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHD16N03T,118 D# PHD16N03T,118-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHD16N03T,118 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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10260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHD16N03T118 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
909 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHD16N03T-118 D# NS-PHD16N03T-118 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1684 |
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