Name: PHD20N06T,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PHD20N06T-118
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

PHD20N06T,118

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Numero di parte	PHD20N06T,118
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Scheda dati	PHD20N06T,118 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD20N06T,118

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	422pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD20N06T,118

PHD20N06T,118 Packaging

PHD20N06T,118 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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PHD20N06T,118

D# PHD20N06T,118

NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Bulk (Alt: PHD20N06T,118)

RoHS: Compliant

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PHD20N06T,118

D# 2156-PHD20N06T,118-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

150

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VBsemi Electronics Co Ltd

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PHD20N06T118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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D# NS-PHD20N06T-118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

2074

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PHD20N06T,118

NXP Semiconductors

Now Nexperia PHD20N06T - 18A, 55V, 0.077ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-252

RoHS: Compliant

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