Name: PHD22NQ20T,118
Brand: NXP
SKU: PHD22NQ20T-118
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

PHD22NQ20T,118

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Numero di parte	PHD22NQ20T,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
Scheda dati	PHD22NQ20T,118 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD22NQ20T,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD22NQ20T,118

PHD22NQ20T,118 Packaging

PHD22NQ20T,118 FAQ

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VBsemi Electronics Co Ltd

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