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PHD34NQ10T,118

PHD34NQ10T,118

PHD34NQ10T,118

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Numero di parte PHD34NQ10T,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 4.256 piece(s)
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Specifiche PHD34NQ10T,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1704pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PHD34NQ10T,118 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

PHD34NQ10T,118 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHD34NQ10T,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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