| Numero di parte | PHK4NQ20T,518 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.560 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHK4NQ20T,518 D# PHK4NQ20T,518-ND |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 200V 4A 8SO |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHK4NQ20T518 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
670 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PHK4NQ20T-518 D# NS-PHK4NQ20T-518 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1110 |
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