Name: PMDPB42UN,115
Brand: NXP
SKU: PMDPB42UN-115
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

PMDPB42UN,115

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Numero di parte	PMDPB42UN,115
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Scheda dati
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	198.600 piece(s)
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Specifiche PMDPB42UN,115

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	185pF @ 10V
Potenza - Max	510mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2020-6

PMDPB42UN,115 Packaging

PMDPB42UN,115 FAQ

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NXP Semiconductors

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D# 2156-PMDPB42UN115-ND

Rochester Electronics LLC

PMDPB42UN - SMALL SIGNAL, HUSON6

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

1224

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Nexperia

OEM/CM Immediate delivery

16550

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Now Nexperia PMDPB42UN - Small Signal Field-Effect Transistor, HUSON6

RoHS: Compliant

171000

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