Name: PMDPB95XNE,115
Brand: NXP
SKU: PMDPB95XNE-115
Availability: InStock
Rating: 5 (185 reviews)

PMDPB95XNE,115

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Numero di parte	PMDPB95XNE,115
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Scheda dati
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	2.048 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche PMDPB95XNE,115

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 15V
Potenza - Max	475mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2020-6

PMDPB95XNE,115 Packaging

PMDPB95XNE,115 FAQ

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PMDPB95XNE,115

D# PMDPB95XNE,115

NXP Semiconductors

Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 30V 3.1A 6-Pin DFN2020 - Bulk (Alt: PMDPB95XNE,115)

Numero di parte

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PMDPB95XNE,115

D# 2156-PMDPB95XNE115-NXTR-ND

Rochester Electronics LLC

SMALL SIGNAL MOSFET

309000

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Produttore

Descrizione

Azione

PMDPB95XNE115

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

370800

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PMDPB95XNE115

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

15005

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PMDPB95XNE,115

NXP Semiconductors

Now Nexperia PMDPB95XNE - Small Signal Field-Effect Transistor, HUSON6

RoHS: Compliant

309000

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