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PSMN1R1-30EL,127

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Numero di parte PSMN1R1-30EL,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Scheda dati

PSMN1R1-30EL,127 Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche PSMN1R1-30EL,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs243nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14850pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica PSMN1R1-30EL,127

PSMN1R1-30EL,127 Packaging

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# PSMN1R1-30EL,127

 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail - Rail/Tube (Alt: PSMN1R1-30EL,127)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN1R1-30EL,127

D# 1727-5287-ND

 Nexperia

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

 4011
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Nexperia

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 4952
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 NXP Semiconductors

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 7603
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D# 771-PSMN1R130EL127

 Nexperia

MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms

RoHS: Compliant
 4999
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN1R1-30EL,127

 NXP Semiconductors

Now Nexperia PSMN1R1-30EL - 120A, 30V, 0.0014ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-262AA

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 7581
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 NXP Semiconductors

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