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PSMN3R3-80ES,127

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PSMN3R3-80ES,127

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Numero di parte PSMN3R3-80ES,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Scheda dati

PSMN3R3-80ES,127 Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche PSMN3R3-80ES,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9961pF @ 40V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica PSMN3R3-80ES,127

PSMN3R3-80ES,127 Packaging

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PSMN3R3-80ES,127 FAQ

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# PSMN3R3-80ES,127

 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail - Rail/Tube (Alt: PSMN3R3-80ES,127)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN3R3-80ES,127

D# 2156-PSMN3R3-80ES127-ND

 Rochester Electronics LLC

ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF

 1415
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN3R380ES127

 Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1698
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN3R380ES127

 NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

 522
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN3R3-80ES,127

D# 771-PSMN3R3-80ES127

 Nexperia

MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET

RoHS: Compliant
 450
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN3R3-80ES,127

 NXP Semiconductors

Now Nexperia PSMN3R3-80ES - 120A, 80V, 0.0033ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-262AA

RoHS: Compliant
 1415

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