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RHU002N06T106

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Numero di parte RHU002N06T106
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Scheda dati

RHU002N06T106 Scheda dati
pacchetto SC-70, SOT-323
ECAD
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Specifiche RHU002N06T106

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-70, SOT-323
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreUMT3
Pacchetto / casoSC-70, SOT-323

Scheda tecnica RHU002N06T106

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Sealing
Packing
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RHU002N06T106 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RHU002N06T106 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RHU002N06T106. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RHU002N06T106 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RHU002N06T106 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RHU002N06T106 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RHU002N06T106?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin UMT T/R (Alt: RHU002N06T106)

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SMALL SIGNAL MOS FET

 15000
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N-Channel 60V 200mA 2.4ohms @ 200mA,10V 200mW SOT-323(SC-70) MOSFET RoHS

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 21615
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N-Channel 200 mW 60 V 2.4 Ohm Surface Mount Small Signal MosFet - UMT-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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 10800
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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.2A I(D), 60V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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