Name: RJH60D7DPK-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJH60D7DPK-00-T0
Availability: InStock
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RJH60D7DPK-00#T0

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Numero di parte	RJH60D7DPK-00#T0
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	IGBT 600V 90A 300W TO3P
Scheda dati	RJH60D7DPK-00#T0 Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche RJH60D7DPK-00#T0

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	90A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 50A
Potenza - Max	300W
Cambiare energia	1.1mJ (on), 600µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	130nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	60ns/190ns
Condizione di test	300V, 50A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	100ns
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P

Scheda tecnica RJH60D7DPK-00#T0

RJH60D7DPK-00#T0 Packaging

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

RoHS: Compliant

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