Name: RJK0330DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK0330DPB-01-J0
Availability: InStock
Rating: 5 (164 reviews)

RJK0330DPB-01#J0

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Numero di parte	RJK0330DPB-01#J0
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Scheda dati	RJK0330DPB-01#J0 Scheda dati
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche RJK0330DPB-01#J0

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	45A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 22.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669

Scheda tecnica RJK0330DPB-01#J0

RJK0330DPB-01#J0 Packaging

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Trans MOSFET N-CH 30V 45A 5-Pin LFPAK T/R (Alt: RJK0330DPB-01#J0)

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MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

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MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

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SILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING

2500

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OEM/CM ONLY

2512

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 45A I(D), 30V, 0.0039OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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