Name: RSS100N03FU6TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSS100N03FU6TB
Availability: InStock
Rating: 5 (170 reviews)

RSS100N03FU6TB

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	RSS100N03FU6TB
Produttore	Rohm Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Scheda dati	RSS100N03FU6TB Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
A magazzino	122.004 piece(s)
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Specifiche RSS100N03FU6TB

Produttore	Rohm Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1070pF @ 10V
Vgs (massimo)	20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB Packaging

RSS100N03FU6TB FAQ

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2. How does Heisener guarantee that RSS100N03FU6TB is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),SO

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