Name: SI1051X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1051X-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (99 reviews)

SI1051X-T1-GE3

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Numero di parte	SI1051X-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Scheda dati	SI1051X-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SI1051X-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-563, SOT-666
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.45nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 4V
Vgs (massimo)	±5V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-89-6
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666

Scheda tecnica SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3 Packaging

SI1051X-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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