Name: SI1305EDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1305EDL-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (139 reviews)

SI1305EDL-T1-GE3

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Numero di parte	SI1305EDL-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
Scheda dati	SI1305EDL-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SC-70, SOT-323
ECAD
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Specifiche SI1305EDL-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SC-70, SOT-323
ECAD
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	860mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	290mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 1A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-70-3
Pacchetto / caso	SC-70, SOT-323

Scheda tecnica SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3 Packaging

SI1305EDL-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI1305EDL-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI1305EDL-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI1305EDL-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI1305EDL-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI1305EDL-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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