Name: SI2301BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2301BDS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (112 reviews)

SI2301BDS-T1-GE3

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Numero di parte	SI2301BDS-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Scheda dati	SI2301BDS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2301BDS-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	375pF @ 6V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3 Packaging

SI2301BDS-T1-GE3 FAQ

1. How to order SI2301BDS-T1-GE3 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that SI2301BDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2301BDS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2301BDS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2301BDS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the SI2301BDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of SI2301BDS-T1-GE3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI2301BDS-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI2301BDS-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI2301BDS-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V72:2272_09216783

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant

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SI2301BDS-T1-GE3

D# SI2301BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2301BDS-T1-GE3)

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SI2301BDS-T1-GE3

D# SI2301BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2301BDS-T1-GE3)

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P CH MOSFET

1024

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VBsemi Electronics Co Ltd

SOT23-3 MOSFET RoHS

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

8314

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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VBsemi Electronics Co Ltd

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant

8000

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D# NS-SI2301BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

3326

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SI2301BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.2A I(D), 20V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236AB

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SI2301BDST1GE3

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9743

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SI2301BDS-T1-GE3

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant

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