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SI2303BDS-T1-E3

hot SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

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Numero di parte SI2303BDS-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Scheda dati

SI2303BDS-T1-E3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2303BDS-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.49A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 1.7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI2303BDS-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2303BDS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2303BDS-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2303BDS-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2303BDS-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2303BDS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2303BDS-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

D# 70026096

 Vishay Siliconix

MOSFET,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.15Ohm,ID -1.49A,TO-236 (SOT-23),PD 0.7W,VGS +/-2

RoHS: Not Compliant
 0

SI2303CDS-T1-GE3

D# 70459665

 Vishay Siliconix

SI2303CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# E02:0323_00529724

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2303CDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2303CDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2303CDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

3000

SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

827
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Semiconductors

VISSI2303CDS-T1-GE3 P-CHANNEL 30-V (D-S)

 0

SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190 mohms @ 10V

 33000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

P-Channel -30V 2.7A 3V @ 250uA 190mohms @ 1.9A,10V 1W SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

 6870
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDST1E3

 Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.49A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# SI2303CDS-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

 14908

SI2303BDS-T1-E3

D# SI2303BDS-T1-E3TR-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

D# SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Siliconix

Industry Leading ISO:9001/AS9120A Stocking Distributor of Obsolete & Hard to Find IC's/Semi's, Specializing in Altera/Xilinx. In-House Counterfeit Detection Lab. In Business 20 Years. Free Shipping on Orders Over $250. Buy American, Buy Direct

 3153
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

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 21260
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# 1858938RL

 Vishay Intertechnologies

MOSFET,P CH,30V,2.7A,DIODE,SOT23

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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 Vishay Intertechnologies

TRANSISTOR, MOSFET

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 21000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDST1E3

 Vishay Intertechnology, I

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 415
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 Vishay Huntington

In stock

 827

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Huntington

In Stock

 3000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# C10489

 Vishay Intertechnologies

6860
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

 500000

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

 500000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# 781-SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23

RoHS: Compliant
 8721
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# XSFP00000077601

 Vishay Siliconix

Single P-Channel 30 V 0.19 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

 24000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

D# 06J7566

 Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.49A, TO-236, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:1.49A, On Resistance Rds(on):0.15ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0

SI2303CDS-T1-GE3

D# 16P3703

 Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:2.7A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.158ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 396
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# NS-SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 6097

SI2303BDS-T1-E3

D# NS-SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 2361
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Siliconix

1900 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

 19
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

D# SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

Semiconductor

 9000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

D# 7103241P

 Vishay Intertechnologies

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2303CDS-T1-GE3, RL

Min Qty: 20
Container: Reel
 10720
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDST1E3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

 23206
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

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 499985

SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

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 499985
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SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Huntington

33
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SI2303CDS-T1-GE3

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MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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 26996
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SI2303CDS-T1-GE3

D# 32033981

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

 Vishay Huntington

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

 36000

SI2303CDS-T1-GE3

 Vishay Huntington

MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

 131586
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2303BDS-T1-E3

D# 1653681RL

 Vishay Intertechnologies

TRANSISTOR, MOSFET

RoHS: Compliant
Min Qty: 20
Container: Reel
 0

SI2303CDS-T1-GE3

D# 1858938

 Vishay Intertechnologies

MOSFET,P CH,30V,2.7A,DIODE,SOT23

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Container: Cut Tape
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