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| Numero di parte | SI2312BDS-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 1.757.004 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | mag 8 - mag 13 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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SIT8208AC-8F-28E-16.367667Y | SiTIME, -20 TO 70C, 7050, 10PPM, 2.8V, 1, -, TrenchFET? | Visualizza |
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SIT8209AC-21-18E-166.600000Y | SiTIME, -20 TO 70C, 3225, 20PPM, 1.8V, 1, -, TrenchFET? | Visualizza |
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C328C562K3G5TA7301 | KEMET, CAP CER 5600PF 25V C0G RADIAL, Radial, TrenchFET? | Visualizza |
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120AFEE | Eaton, FUSE 120AMP 690V AC SEMI, Cylindrical, Blade Terminal (Bolt), TrenchFET? | Visualizza |
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U21L1PYCQE | C&K, SWITCH TOGGLE DPDT 5A 120V, -, TrenchFET? | Visualizza |
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ATA5761N-TGQY | Microchip Technology, IC RCVR UHF ASKFSK 915MHZ 20SOIC, 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
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RNR55K1911FMBSL | Vishay Dale, RES 1.91K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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RER45F59R0RCSL | Vishay Dale, RES CHAS MNT 59 OHM 1% 10W, Axial, Box, TrenchFET? | Visualizza |
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BCS-106-L-S-PE-BE | Samtec Inc., BOX CONNECTOR SOCKET STRIP, -, TrenchFET? | Visualizza |
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5414171-3 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN TNC JACK STR 50 OHM CRIMP, -, TrenchFET? | Visualizza |
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D38999/21HG39XC | TE Connectivity Deutsch Connectors, D38999/21HG39XC, -, TrenchFET? | Visualizza |
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GTCL030LCF22-22P-B30 | Amphenol Industrial Operations, GT 4C 4#8 PIN RECP WALL, -, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# 70026195 |
Vishay Siliconix |
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
|
0 |
SI2312BDS-T1-E3/BKN D# 70026355 |
Vishay Siliconix |
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# E02:0323_00021752 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2312BDS-T1-E3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-E3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-E3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies | 511 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Min Qty 12 |
3595 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 20V 3.9A 850mV @ 250uA 31mohms @ 5A,4.5V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS |
4290 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDST1E3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# SI2312BDS-T1-E3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
22272 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Industry Leading ISO:9001/AS9120A Stocking Distributor of Obsolete & Hard to Find IC's/Semi's, Specializing in Altera/Xilinx. In-House Counterfeit Detection Lab. In Business 20 Years. Free Shipping on Orders Over $250. Buy American, Buy Direct |
2303 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
11473 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# 2396085 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 20V, 3.9A, SOT-23-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
26158 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
150000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDST1E3DKRN |
Vishay Siliconix |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
30 |
SI2312BDST1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
103530 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Texas Instruments | 3076 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Huntington |
In stock |
511 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
in stock - can ship the same day |
2540 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
500000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# 781-SI2312BDS-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A RoHS: Compliant
|
38113 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# XSFP00000027021 |
Vishay Siliconix |
Single N-Channel 20 V 0.031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 |
522926 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# 85W0175 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.025OHM, 3.9A, SOT-23-3, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, MSL:- RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
SI2312BDS-T1-E3. D# 26AC3318 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.025OHM, 3.9A, SOT-23-3, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, MSL:- RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
72000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# NS-SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
33077 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Dale |
MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-23 |
34 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDST1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
80876 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
499985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
4996 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# 51961016 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
15442 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2312BDS-T1-E3 D# 1497608 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N, SOT-23 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
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