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SI2312BDS-T1-GE3

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SI2312BDS-T1-GE3

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Numero di parte SI2312BDS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2312BDS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs31 mOhm @ 5A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2312BDS-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI2312BDS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2312BDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2312BDS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2312BDS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2312BDS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2312BDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2312BDS-T1-GE3?
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SI2312BDS-T1-GE3

D# V72:2272_09216793

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2312BDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

998
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

 6000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

N-Channel 20V 3.9A 850mV @ 250uA 31mohms @ 5A,4.5V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

 9406
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDST1GE3

 Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

 55731
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 13490
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDST1GE3

 VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 107100
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# C10490

 Vishay Intertechnologies

9406
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

 500000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# 781-SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant
 7976
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# XSFP00000063435

 Vishay Siliconix

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

 93805
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

D# 16P3709

 Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 20V, 5A, TO-236, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, MSL:-RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0

SI2312BDS-T1-GE3.

D# 16AC0252

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:850mV, MSL:- RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3-LF

D# NS-SI2312BDS-T1-GE3-LF

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 1591

SI2312BDS-T1-GE3

D# NS-SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 24087
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

1837
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312BDST1GE3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 54016
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 Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

 499985
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SI2312BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

pbFree: Pb-Free
 0
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 Coilcraft Inc

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 9551
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SI2312BDS-T1-GE3

D# 50959424

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Vishay Huntington

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

 107777

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