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SI2316BDS-T1-E3

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SI2316BDS-T1-E3

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Numero di parte SI2316BDS-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
Scheda dati

SI2316BDS-T1-E3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2316BDS-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 3.9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2316BDS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2316BDS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2316BDS-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# 70026196

 Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

RoHS: Not Compliant
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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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D# SI2316BDS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2316BDS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316BDS-T1-E3)

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MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

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Single N-Channel 30 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

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pbFree: Yes
 3000
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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 18000
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MOSFET 30V 4.5A 1.66W

RoHS: Compliant
 3464
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 Vishay Siliconix

Single N-Channel 30 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

 12000
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 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.041ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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D# NS-SI2316BDS-T1-E3

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 3093
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Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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