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SI2316DS-T1-E3

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SI2316DS-T1-E3

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Numero di parte SI2316DS-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Scheda dati

SI2316DS-T1-E3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2316DS-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 3.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2316DS-T1-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2316DS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2316DS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2316DS-T1-E3?
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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8440
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SILICONIX

 0
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

RoHS: Compliant
 0
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D# SI2316DS-T1-E3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

RoHS: Compliant
 4545
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D# 15AC0292

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Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 3000

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D# 85W2139

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Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.042ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0
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 6059
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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.9A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236

 6752
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 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 25338
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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free
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D# 35308905

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