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SI2333DDS-T1-GE3

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SI2333DDS-T1-GE3

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Numero di parte SI2333DDS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Scheda dati

SI2333DDS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2333DDS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1275pF @ 6V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28 mOhm @ 5A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2333DDS-T1-GE3

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Packing
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SI2333DDS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2333DDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2333DDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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SI2333DDS-T1-GE3

D# 70459509

 Vishay Siliconix

SI2333DDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

D# V72:2272_07433778

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

D# 05AC7746

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin TO-236 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 05AC7746)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

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 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2333DDS-T1-GE3)

 0
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SI2333DDS-T1-GE3

D# SI2333DDS-T1-GE3

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Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2333DDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

803
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

 Vishay Semiconductors

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

P-Channel -12V 6A(Tc) 1V @ 250uA 28mohms @ 5A,4.5V 1.7W(Tc) SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

 4035
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

D# SI2333DDS-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

 61854
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 140
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDS-T1-GE3

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MOSFET, P-CH, 12V, SOT23

RoHS: Compliant
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Container: Cut Tape
 14275
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SI2333DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 12 V 0.028 Ω 35 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 54000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DDST1GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 194838
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Vishay Huntington

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 803
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 Vishay Siliconix

Single P-Channel 12 V 0.028 O 35 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

 165702
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P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

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 Vishay Siliconix

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 2897
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 Vishay Siliconix

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6A I(D), 12V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236AB

 25
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P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3, PK

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 600
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OEM/CM ONLY

 4546
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2788
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MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23

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Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
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MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

 101464
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