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SI2336DS-T1-GE3

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SI2336DS-T1-GE3

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Numero di parte SI2336DS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
Scheda dati

SI2336DS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2336DS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 15V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2336DS-T1-GE3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2336DS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2336DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2336DS-T1-GE3?
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 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

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 0
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Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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 0
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Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 23T8500)

 0
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 0
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 63000
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 2136
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MOSFET,N CH,30V,5.2A,DIODE,SOT23

RoHS: Compliant
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 16584
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pbFree: Yes
 24000
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 6

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 Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 22036
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 500000
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 Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23

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 21055

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MOSFET N-CHANNEL 30V (D-S)

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 5900
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Si2336DS Series N-Channel 30 V 42 mOhm 1.25 W Surface Mount Mosfet - TO-236

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 4175
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 6066
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