Name: SI3441BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3441BDV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (111 reviews)

SI3441BDV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3441BDV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
Scheda dati	SI3441BDV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3441BDV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.45A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3441BDV-T1-GE3

SI3441BDV-T1-GE3 Packaging

SI3441BDV-T1-GE3 FAQ

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P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.45A, TSOP

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D# SI3441BDV-T1-GE3-ND

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