Name: SI3447BDV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3447BDV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (105 reviews)

SI3447BDV-T1-E3

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Numero di parte	SI3447BDV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
Scheda dati	SI3447BDV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3447BDV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3447BDV-T1-E3

SI3447BDV-T1-E3 Packaging

SI3447BDV-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI3447BDV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of SI3447BDV-T1-E3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI3447BDV-T1-E3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI3447BDV-T1-E3 pin diagram, SI3447BDV-T1-E3 datasheet?

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D# 70026200

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MOSFET, 12V P-CH 95 MOHM @ 1.8V VGS Rated Trench

RoHS: Not Compliant

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1115

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MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.5A I(D), 12V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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