Name: SI3447CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3447CDV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (88 reviews)

SI3447CDV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3447CDV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
Scheda dati	SI3447CDV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3447CDV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	910pF @ 6V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 6.3A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3447CDV-T1-GE3

SI3447CDV-T1-GE3 Packaging

SI3447CDV-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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SI3447CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

VISSI3447CDV-T1-GE3 P-CHANNEL 12-V (D-S)

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SI3447CDVT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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SI3447CDV-T1-GE3

D# SI3447CDV-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

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SI3447CDVT1GE3

Vishay Intertechnologies

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